蒸發條件對碘化鉛多晶薄膜結構的影響

采用真空蒸發法在普通玻璃上制備了碘化鉛多晶薄膜,研究了蒸發速率、蒸發源與襯底距離、薄膜厚度以及襯底溫度等實驗條件對所制備碘化鉛多晶薄膜結構的影響+ 利用, 射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對樣品進行了測試,結
果表明，在襯底溫度為室溫時得到（001）擇優取向多晶碘化鉛薄膜，即沿c軸垂直襯底方向取向生長的薄膜,當襯底溫度升高時，薄膜的擇優取向逐漸由（001）轉向（003），且晶體顆粒變大，薄膜中的內應力隨襯底溫度的升高而降低。

關鍵詞：蒸發速率，襯底溫度，碘化鉛薄膜，多晶結構，真空蒸發

正文下載蒸發條件對碘化鉛多晶薄膜結構的影響.pdf