CAS： 1306-25-8
分子式： CdTe
分子量： 240.01

中文名稱： 碲化鎘

英文名稱： Cadmium telluride

性質描述：化學式CdTe。分子量240.00。黑色立方系晶體。有毒!熔點1041℃，溫度更高即分解，相對密度6.2015。不溶于水、酸，但能與硝酸作用而分解。潮濕時易被空氣氧化。制法：由碲、鎘單質混合熔化，在氫氣流中升華，或鎘的亞碲酸鹽或碲酸鹽在氫氣流中加熱還原，也可由碲化鈉與被醋酸酸化的醋酸鎘溶液作用，當從溶液中沉淀出時呈褐紅色，干燥后幾乎變成黑色，還可用碲化氫作用于鎘蒸氣，形成碲化鎘單晶而得。

生產工藝：
1.將碲與鎘按化學計量比混合，在高溫下直接化合而得。
2.將碲化氫氣體通入鎘鹽溶液中，使其產生沉淀。通過抽濾、洗滌、干燥，便可得到CdTe產品。

碲化鎘的主要結構缺陷是填隙鎘原子，它提供n型電導，而鎘空位提供p型電導。用純度為99.9999%的碲和鎘按元素質量比1：1稱量，并將料裝入涂碳石英管內，在真空度小于4×10-4Pa下進行物料脫氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后將密封好的石英管放入合成爐內進行多晶碲化鎘合成。為防止合成時鎘的迅速蒸發引起炸管，升溫必須緩慢進行，因為在碲化鎘的熔點，鎘的蒸氣壓為1MPa。當溫度升至800℃時恒溫4h，然后緩慢升溫到1100℃，整個合成時間為14h。

用途：光譜分析。也用于制作太陽能電池，紅外調制器，HgxCdl-xTe襯底，紅外窗場致發光器件，光電池，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區的發光器件等。

碲化鎘是由碲和鎘構成的一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料。分子式為CdTe，其晶體結構為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結構，晶格常數0.6481nm，熔點1092℃，密度5.766g/cm3，禁帶寬度1.5eV(25℃)，能帶構造為直接型，電子遷移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴遷移率(25℃)80cm2/(V·s)，電子有效質量0.096，電阻率103～107Ω·cm。以高純碲和鎘為原料，脫氧后合成碲化鎘，再用垂直定向結晶法或垂直區熔法生長成單晶或多晶。單晶用于制作紅外電光調制器、紅外探測器、紅外透鏡和窗口、磷光體、常溫γ射線探測器、太陽能電池及接近可見光區的發光器件等，碲化鎘太陽能電池，較單晶硅太陽能電池有制作方便，成本低廉和重量較輕等優點。Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料是重要的半導體材料，高、力學性能差，至今難以制成大直徑體單晶，許多材料多作成外延薄膜。已獲重要應用的有碲化鎘、硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅以及本族的固溶半導體材料碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)等。