碲鎘汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化鎘和碲化汞組成的三元固溶體半導體。它是一種窄帶半導體材料，隨著組分x的變化，禁帶寬度和其它能帶參數也發生變化。其禁帶寬度Eg隨溫度T和組分x變化有如下經驗公式：Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄帶半導體一般都屬于能帶反轉型半導體。對于Cdx、Hg1-xTe，在低溫下，當x值較小時，它是一種半金屬或禁帶寬度為零的半導體。當x增大到一定值時，CdxHg1-xTe就由半金屬轉變成窄帶半導體，產生了能帶反轉(77K，x=0.15時)，此時電子有效質量變小，電子遷移率增大，從而引起許多物理性質的變化。用碲鎘汞制作的紅外探測器具有良好的特性，特別是在波長為8～14μm的大氣窗口附近，其靈敏度很高，因此它作為良好的激光接收材料而得到了較快的發展。由于碲鎘汞是由熔點較高的Ⅱ-Ⅵ族化合物組成.在高溫下、鎘、汞、碲元素的蒸汽壓都很高，因此從熔體中生長的碲鎘汞晶體中常常產生嚴重的組分偏離而影響材料和器件的性能，故改善碲鎘汞制備方法，提高其單晶質量仍然是一個重要的研究課題。