碳化硅陶瓷為高溫下強度最高的陶瓷材料，是以碳化硅為主要成分的陶瓷材料。碳化硅是典型的共價鍵化合物，單位晶胞由相同的硅碳四面體構成，硅原子處于中心，周圍是碳。主要有兩種晶型：

α型，高溫型，六方結構;

β型，低溫型，立方結構。

天然的碳化硅幾乎不存在，常常需要人工合成。碳化硅粉料的合成方法主要有：

①碳熱還原法，SiO2+3C→SiC+2CO↑；

②高頻等離子體或激光進行硅烷的熱分解法；

③使用金屬有機化合物的溶膠-凝膠法等。

碳化硅陶瓷的制備方法主要有常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結、高溫等靜壓燒結。用化學氣相沉積(CVD)法可制備碳化硅陶瓷薄膜。提高碳化硅陶瓷的燒結致密度，可加入一定量的B、C、B4C、Al2O3、AlN、BeO和Al等作為燒結助劑。碳化硅是共價鍵很強的化合物，在常壓下很難使其完全致密化，只能得到接近理論密度95%的碳化硅陶瓷。熱壓燒結和高溫等靜壓燒結可制備高致密碳化硅陶瓷，燒結溫度在1950～2100℃，制品性能好，難以制造形狀復雜的制品，且成本高。反應燒結由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合壓成坯體，加熱使之與熔融的液態Si或氣相Si反應，生成β-SiC。燒結溫度較低(1400～1600℃)，可制造形狀復雜的制品，缺點是坯體中殘留8%～20%的游離硅，限制其高溫力學性能及在強酸強堿中的應用。SiC陶瓷不僅具有室溫強度高、耐腐蝕、耐磨和低摩擦系數，而且具有較高的高溫強度和抗蠕變性能，使用溫度可達1600℃，是目前已知的陶瓷材料中高溫抗氧化、強度最好的材料。缺點是脆性大，斷裂韌性較低。采用纖維、晶須和顆粒可增韌補強SiC陶瓷，明顯提高SiC陶瓷的韌性和強度。可廣泛用于石油、化工、汽車、航空航天、電子、原子能等領域，用作耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、密封、電子封裝等材料。