碳還原法硅原料(二氧化硅或單質硅)與碳原料(炭黑)混合,在1300~1800℃非氧化氣氛中加熱進行還原反應,得到碳化硅晶須。氣相法有機硅化合物(甲基三氯硅烷)或鹵化硅與烴類的混合物,在有還原性氣體存在并于1100~1500℃下進行熱分解反應,得到高純碳化硅晶須。氮化硅轉化法以氮化硅和碳為原料,在一氧化碳非氧化性氣氛中,于1400~1900℃溫度下加熱進行反應,得到碳化硅晶須。另外還有單質硅與烴在有硫化氫存在的條件下進行反應的方法,亦可得到碳化硅晶須。
碳化硅合成
非售品
CAS:409-21-2
分子式:SiC
分子量:40.1