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                          碳化硅合成

                          非售品
                          CAS:409-21-2
                          分子式:SiC
                          分子量:40.1

                          碳還原法硅原料(二氧化硅或單質硅)與碳原料(炭黑)混合,在1300~1800℃非氧化氣氛中加熱進行還原反應,得到碳化硅晶須。氣相法有機硅化合物(甲基三氯硅烷)或鹵化硅與烴類的混合物,在有還原性氣體存在并于1100~1500℃下進行熱分解反應,得到高純碳化硅晶須。氮化硅轉化法以氮化硅和碳為原料,在一氧化碳非氧化性氣氛中,于1400~1900℃溫度下加熱進行反應,得到碳化硅晶須。另外還有單質硅與烴在有硫化氫存在的條件下進行反應的方法,亦可得到碳化硅晶須。

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